- Allemagne:
des chercheurs de Siemens parviennent à augmenter le degré
d'efficacité de cellules solaires organiques
Lors du développement de détecteurs photoélectriques organiques, des chercheurs de Siemens sont parvenus à augmenter de 3 => 5% le degré d'efficacité de cellules solaires organiques imprimées. Grâce à ce succès, la possibilité d'une utilisation commerciale s'offre à cette technologie. Contrairement aux cellules au silicium très répandues aujourd'hui, les cellules solaires organiques peuvent être imprimées sur des feuilles. Elles sont donc plus flexibles et largement plus légères. Le faible coût de fabrication est un autre avantage de cette technologie. La photovoltaïque organique est une technologie alternative qui se distingue par le fait que les cellules solaires sont fabriquées par un processus d'impression faisant intervenir des polymères spéciaux. L'épaisseur de la couche photoactive de la cellule obtenue est d'environ 100 nm, soit environ 1/200e de l'epaisseur d'un cheveu. Elle est donc très légère et peut s'adapter à presque toutes les formes voulues. Les chercheurs de Siemens ont donc fait une avancée importante dans le développement de la photovoltaïque organique. Le degré d'efficacité de 5% est le plus haut jamais mesuré jusqu'alors pour des cellules solaires organiques imprimées, et d'après les chercheurs, un degré d'efficacité de 7% est même envisageable avec l'état actuel de la technique. Par ailleurs, la durée de vie des cellules - de l'ordre de plusieurs milliers d'heures de soleil- est un autre motif de satisfaction. La vente des premiers produits est attendue pour l'annee 2005. |
A moyen terme, on attend un
degré d'efficacite de 10 %, ainsi qu'une durée de vie de
10.000 heures de soleil, ce qui correspond à une duree de service
d'environ 10 ans, afin que la photovoltaïque organique puisse être
utilisée dans les domaines d'application essentiels des techniques
solaires traditionnelles.
Contacts : - Guido Weber, Siemens AG - Press Office Corporate Technology, Otto Hahn Ring 6, D-81730 Munich, tel : +49 89 636 49030, fax : +49 89 636 49220, e-mail : guido.weber@siemens.com Source: Communique de presse idw, 07/01/2004 - Grande - Bretagne, Le nitrure d'indium plein de surprises: On a longtemps pensé que la valeur du gap du nitrure d'indium, un semi-conducteur de type III-V, se situait autour de 1,9 eV ce qui réduisait ses applications. Or, il a été découvert récemment par une équipe nippo-americaine que le gap direct de ce matériau était plutôt de 0,7 à 0,8 eV. Cette découverte signifie que des alliages à base de nitrure d'indium, par exemple InGaN, présentent des gaps électroniques qui balaieraient le spectre visible en entier, du proche infrarouge à l'ultraviolet. Ces matériaux pourraient être utilisés pour une large gamme de dispositifs opto-électroniques allant des diodes électroluminescentes aux cellules solaires. |